Samsung ontwikkelt drie Z-NAND-varianten voor AI-infrastructuur

Samsung ontwikkelt drie gespecialiseerde Z-NAND-geheugenvarianten: Z-NAND-O, Z-NAND-T en Z-NAND-I. Elke variant richt zich op andere AI-workloads.

ZDNet berichtte over de ontwikkeling en zag een prototype van Z-NAND-O, dat in augustus werd getoond tijdens een Amerikaans evenement voor de geheugenindustrie. Het oorspronkelijke bericht verscheen op 12 oktober 2026 en was van Min-jun Kim.

Z-NAND-O maakt gebruik van through-silicon vias (TSV's) om NAND-chips verticaal in vier of acht lagen te stapelen. Volgens Samsung moet Z-NAND-O de datasnelheden en energie-efficiëntie verbeteren voor on-device AI op mobiele en andere verbonden apparaten.

Z-NAND-T is gericht op doorvoer en bandbreedte, voor krachtige AI-datacenters die grote hoeveelheden data efficiënt moeten verplaatsen.

Z-NAND-I geeft prioriteit aan input/output operations per second (IOPS), een maat voor het aantal afzonderlijke lees- en schrijfbewerkingen dat geheugen kan verwerken.

Samsung heeft de volledige reeks, specificaties en lanceringsdata van de drie varianten nog niet officieel aangekondigd.

De aanpak met drie varianten wijst erop dat Samsung NAND-technologie wil afstemmen op specifieke AI-workloads, in plaats van te vertrouwen op één ontwerp.

SK Hynix volgt een vergelijkbare strategie met een AI-NAND-familie bestaande uit AIN P voor prestaties, AIN D voor opslagdichtheid en AIN B voor bandbreedte.

Naarmate de AI-infrastructuur groeit, kan op maat gemaakte NAND naast conventioneel geheugen en opslag steeds belangrijker worden.